英特爾公司今天宣布其成為全球第一家在45納米制程邏輯技術開發(fā)中取得重大成果的公司。英特爾已經(jīng)成功生產出了全球首款采用45納米制程技術的全功能SRAM（靜態(tài)隨機存取內存）芯片。45納米制程技術將被大規(guī)模應用于制造英特爾公司的下一代芯片。
這一重大成就說明英特爾正向著在2007年利用45納米制程技術在300毫米晶圓上生產芯片這一目標快速邁進。同時，它還意味著英特爾將繼續(xù)致力于推進摩爾定律的延伸，每兩年推出新一代全新制程工藝技術。
目前，英特爾在大批量生產65納米芯片方面居于行業(yè)領先地位，并已經(jīng)擁有兩家65納米芯片制造工廠，分別位于美國亞利桑那州和俄勒岡州。2006年，英特爾在愛爾蘭和美國俄勒岡州還將有兩家新的65納米芯片制造工廠全面投產。
英特爾公司副總裁兼技術與制造事業(yè)部總經(jīng)理Bill Holt談到：“作為首家率先推出45納米芯片成品并已經(jīng)具有大規(guī)模65納米芯片生產能力的公司，英特爾彰顯了其在芯片技術和芯片制造方面的領先地位。英特爾長期以來一直致力于讓大眾在每次技術飛躍中切實受益。我們的45納米技術為個人電腦實現(xiàn)更高的每瓦性能比奠定了基礎，能夠帶來更好的用戶體驗。”
英特爾45納米制程技術將提供比現(xiàn)有芯片低5倍的漏電率。這將顯著延長移動設備的電池使用壽命，并推進體積更小但功能更強大的平臺的構建。
45納米SRAM芯片包含超過10億個晶體管。雖然SRAM不作為英特爾產品，但在處理器和其它邏輯芯片采用45納米制造工藝之前，SRAM證明了其出色的技術性能、制程良率（process yield）與芯片可靠性。這是朝著邁向大規(guī)模生產全球最復雜設備這一目標的關鍵的第一步。
除了最初開展45納米研發(fā)工作的、位于俄勒岡州的D1D工廠外，英特爾也同時宣布了其正在建設中的另外兩個將具有大規(guī)模生產能力的45納米芯片制造工廠，分別是位于亞利桑那州的32號工廠和以色列的28號工廠。
